بررسی تجربی ویسکوزیته نانو سیال رسانا در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی

نوع مقاله : علمی پژوهشی

نویسندگان

1 دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مکانیک، دانشگاه آزاد اسلامی، تاکستان، ایران

2 استادیار، گروه مهندسی مکانیک، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، تاکستان، ایران

3 استاد، گروه مهندسی مکانیک، ، دانشگاه تهران، تهران، ایران

چکیده

ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول-  Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش می­یابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند

کلیدواژه‌ها